在5G通信、卫星通信、雷达探测及科研设备等关键领域，高性能射频功率器件是实现系统效能的核心关键部件。近日，睿创微纳微波领域取得新进展：正式发布自主品牌InfiGaN^®射频功率器件产品线。

InfiGaN^®氮化镓射频功率器件路线图

该产品线采用第三代半导体材料氮化镓（GaN），功率等级覆盖5W-1600W，工作频率范围覆盖DC-X波段，并提供塑封、金属陶瓷空腔封装、金属气密性封装及多芯片集成载片等多种封装形式，为客户提供160多种参考应用方案，覆盖常用的数据链、电台、北斗、宽带干扰机、测试设备、雷达、二次雷达、激光发生器、屏蔽器、无人机反制及工业微波加热等各种应用领域。

研发突破从材料机理到性能优化

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，具备高电子迁移率、高饱和漂移速度、高热稳定性等优点，使其射频器件在高频、高压、高效率、大功率及大带宽方面表现优异。

GaN射频功率器件的功率密度可达LDMOS器件的5倍以上，适用于移动通信基站、雷达和卫星航天等对性能要求严苛的应用场景。

GaN器件的高功率密度在带来性能优势的同时，也面临高温、高电应力下的可靠性挑战。 睿创微纳研发团队深入研究了AlGaN/GaN HEMT器件在高温大功率下的性能退化物理机制，并将相关研究成果论文“The degradation mechanism of high power S-band AlGaN/GaN HEMTs under high temperature”发表于《Journal of Physics D: Applied Physics》（https://doi.org/10.1088/1361-6463/ad8455）。研发团队通过持续优化器件结构，实现了GaN功率放大器增益提升1dB，效率提升2.6%。

睿创微波GaN射频功率器件研究成果发表于JPD可靠性保障多维度测试构筑品质防线

在提供业界具有竞争力性能的同时，为确保GaN射频功率器件产品在各类严苛环境下的长期可靠性，睿创微纳自建了多维度可靠性评估验证平台，对所有GaN射频功率器件产品进行严格的可靠性测试及评估，这些可靠性验证项目包括但不限于：

高温反偏试验（HTRB）： 验证器件在完全关闭状态下的可靠性；

偏置高应力加速试验（BHAST）： 验证器件抵抗水汽入侵的能力；

高温运行寿命试验（HTOL）：验证器件在半开启状态的可靠性；

高温栅偏试验（HTGB）： 验证器件在完全开启状态下的可靠性；

过程监控： 监控器件在经过168小时、500小时、1000小时后各指标的变化情况，确保评估过程稳定可靠，评估结果真实、准确。

GaN 射频功率器件工作状态及对应的可靠性试验示意图

GaN射频功率器件可靠性评估平台设备 

此外，睿创微纳还通过自建能力平台进行高温存储寿命试验（High Temperature Storage Life，HTSL）、温度循环（Temperature Cycling，TC）、剪切力强度测试（Die Shear）、焊线拉力强度测试（Wire Bond Pull Strength）、引线键合点剪切强度测试（Bond Shear）等封装可靠性评估项目，持续优化封装工艺，提升产品良率与长期可靠性，为客户提供最值得信赖的高性能、高可靠性产品。

产品系列详情

四大封装类型满足差异化需求

InfiGaN^®产品线提供适用于不同功率等级和应用需求的多种封装方案：

1.塑封器件：

InfiGaN^®塑封器件产品

特点：中小功率、超宽带、小型化、易匹配、高性价比。

代表型号D1106：DFN 5×6mm封装，采用输入内匹配，使其在30MHz-2GHz频率范围内，连续波输出功率大于11W，漏极效率大于51%，线性增益大于16.9dB，主要应用于超短波电台及测试设备等领域。

2.金属陶瓷空腔封装：

InfiGaN^®金属陶瓷空腔封装产品

特点：中大功率、良好的散热、高性能、高可靠性。

频率覆盖DC-6GHz，功率等级覆盖10-1600W，支持无匹配和预匹配设计。

3.金属陶瓷气密封装：

InfiGaN^®金属陶瓷气密封装产品

特点：50Ω内匹配、平行封焊实现金属陶瓷气密空腔封装。

应用聚焦：覆盖S波段和X波段，具有良好输入、输出驻波特性，使用简单、方便，非常适合T/R组件及雷达应用。

4.多芯片集成载片：

特点：采用多芯片集成技术，具有小尺寸、高集成、易使用等优点，非常适合T/R组件应用。

代表型号D1603：25×10mm尺寸CPC载片集成三级放大器，在4.3GHz频段实现43.5dB功率增益，功率附加效率大于42%。

微波应用生态

160+全场景应用支持

可仿真的大信号模型支持

针对客户需求，结合InfiGaN^®射频功率器件丰富的产品系列，睿创微波研发团队已开发超过160种参考应用方案，涉及各种频率范围和功率，覆盖广泛的应用场景：

通信： 数据链、电台、北斗导航；

电子对抗： 宽带干扰机；

测试测量： 宽带测试设备；

雷达： 雷达、二次雷达；

工业与安全： 激光发生器、屏蔽器、无人机反制、工业微波加热。

这些经过实际应用验证的参考设计和应用方案，包括电路原理图、Layout设计、测试数据等必要信息，均可应客户要求免费提供，并为客户提供详尽的设计指导与应用协助，以帮助客户快速完成产品开发。

InfiGaN^®参考应用方案

同时，为助力客户快速设计应用，睿创微纳可提供GaN射频功率器件的高精度、可仿真的大信号模型。睿创微纳建立了完善的器件测试分析与建模平台，涵盖高低温直流与微波探针台、连续及脉冲IV、小信号S参数、谐波源与负载牵引（Sourcepull & Loadpull）大信号测试等关键测试能力；并基于这些测试及提参手段开发了高精度CM+行为级大信号模型以及支持KeySight ADS平台的PDK（Process Design Kit）。这些模型和工具包均可应客户要求免费提供，能够显著提升客户射频功放及系统设计阶段的仿真设计迭代效率。

InfiGaN^® Sourcepull&Loadpull测试数据

InfiGaN^®大信号模型拟合

自主可控全产业链国产化保障

睿创微纳坚定践行全国产化的自主可控产品研发路线，独立自主攻坚，追求核心技术创新与突破；目前已建立涵盖材料开发、工艺开发、器件设计、电路设计、封装设计、可靠性验证、量产交付的完整技术平台。InfiGaN^®产品线的供应链立足于国内，核心技术实现自主研发，确保产品供应的安全可控。

未来，睿创微纳将继续深耕射频功率半导体领域，始终以技术创新为引擎、以品质提升为基石，致力于为客户提供更加优质的解决方案；通过持续创新和工艺优化，进一步夯实市场竞争力，精准响应多样化需求。睿创微纳期待与更多伙伴携手，共同推动射频半导体技术迭代升级与行业发展。